Изобретение полупроводникового лазерного диода заслуженно считается одним из лучших достижений в области физики второй половины прошлого века.
В отличие от светодиодов, работа которых основана на спонтанном излучении фотонов, лазерные диоды имеют более сложный принцип работы и кристаллическую структуру.
Каждый лазер представляет собой единый монолитный чип, который включает в себя три высокоэффективных эпитаксиальных излучателя. Лазеры обеспечивают высокую мощность при малой площади излучателя, обеспечивая упрощенную конструкцию системы и меньшую общую стоимость в прочном, герметичном корпусе 5, 6 мм.
Лазерный диод с распределенной обратной связью (RIS) представляет собой оптическое оборудование в области построения телекоммуникационных систем.
